트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14.7dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 23.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14.3dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.84GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.5GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 16.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 465MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 857MHz ~ 863MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 857MHz ~ 863MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 17A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 175MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 465MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 857MHz ~ 863MHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.1GHz ~ 3.5GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 3A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 30mA,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 10GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.81dB,
트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET, 회수: 1.95GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 1.8A, 노이즈 피겨: 3.1dB,
