트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10.8dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 16.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 20mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.84GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3.5GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 1mA,
