트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 250mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16.2dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 821MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.61GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 6GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 450mA, 노이즈 피겨: 4.5dB,
