FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 4 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (최대) @ Id: 220mV @ 1µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA,
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair, FET 기능: Depletion Mode, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA,
