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NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A
  • NE3512S02-T1C-A
CEL

NE3512S02-T1C-A

범주:
디스크리트 반도체 제품
 
트랜지스터-FET, MOSFET-RF
EDA / CAD 모델:
NE3512S02-T1C-A PCB 발자국 및 기호
주식 자원:
공장 초과 재고 / 프랜차이즈 배포자
보증:
1 년 Endezo 보증
기술:
HJ-FET NCH 13.5DB S02 More info
Datasheet:
NE3512S02-T1C-A PDF
SKU: #54abeb40-f847-0f3f-62a2-72149cdcf7a9
공유:  

제품 속성

유형 기술
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 HFET
회수 12GHz
이득 13.5dB
전압-테스트 2V
현재 등급 70mA
노이즈 피겨 0.35dB
전류-테스트 10mA
전력-출력 -
전압-정격 4V
패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 S02

환경 및 수출 분류

RoHS 현황 RoHS 준수
습기 감도 수준 (MSL) 해당 사항 없음
라이프 사이클 상태 쓸모없는 / 삶의 끝
재고 범주 사용 가능 재고

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