트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.5GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 821MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 760MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.42GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: MESFET, 회수: 2.3GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 350mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 16.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.03GHz ~ 1.09GHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 31A,
