FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1A,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 500pA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA,