전압: 40V, 전력 손실 (최대): 300mW, 전압-출력: 6V, 전압-오프셋 (Vt): 1.6V, 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA, 전류-계곡 (Iv): 50µA,
전압: 40V, 전력 손실 (최대): 300mW, 전압-출력: 6V, 전압-오프셋 (Vt): 600mV, 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA, 전류-계곡 (Iv): 25µA,
전압: 40V, 전력 손실 (최대): 167mW, 전압-출력: 6V, 전압-오프셋 (Vt): 600mV, 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA, 전류-계곡 (Iv): 25µA,
전압: 40V, 전력 손실 (최대): 300mW, 전압-출력: 11V, 전압-오프셋 (Vt): 600mV, 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA, 전류-계곡 (Iv): 25µA,
전압: 40V, 전력 손실 (최대): 300mW, 전압-출력: 11V, 전압-오프셋 (Vt): 1.6V, 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA, 전류-계곡 (Iv): 50µA,
