트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MRFE6S9130HSR3

MRFE6S9130HSR3

부품 재고: 6299

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF5S19150HR3

MRF5S19150HR3

부품 재고: 6259

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S19210HSR3

MRF7S19210HSR3

부품 재고: 4657

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S19120NR1

MRF7S19120NR1

부품 재고: 1513

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF5P21240HR5

MRF5P21240HR5

부품 재고: 6273

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S38075HSR5

MRF7S38075HSR5

부품 재고: 6293

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 30V,

위시리스트에게
MRFG35003NR5

MRFG35003NR5

부품 재고: 6100

트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,

위시리스트에게
MRF6S19120HR3

MRF6S19120HR3

부품 재고: 4707

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S27085HR3

MRF6S27085HR3

부품 재고: 6351

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S21170HR3

MRF7S21170HR3

부품 재고: 6190

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF9030NR1

MRF9030NR1

부품 재고: 6343

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 26V,

위시리스트에게
MRF1570FNT1

MRF1570FNT1

부품 재고: 2626

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12.5V,

위시리스트에게
MRF6VP21KHR6

MRF6VP21KHR6

부품 재고: 6339

트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 225MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,

위시리스트에게
MRFE6S9201HR5

MRFE6S9201HR5

부품 재고: 6363

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6V2150NBR5

MRF6V2150NBR5

부품 재고: 1441

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,

위시리스트에게
MRF6V10250HSR5

MRF6V10250HSR5

부품 재고: 6038

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V,

위시리스트에게
MD7P19130HSR3

MD7P19130HSR3

부품 재고: 6316

트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRFG35010R5

MRFG35010R5

부품 재고: 6268

트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,

위시리스트에게
MRF6S18140HR5

MRF6S18140HR5

부품 재고: 6284

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF9045LSR1

MRF9045LSR1

부품 재고: 6300

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF5S19130HSR3

MRF5S19130HSR3

부품 재고: 6299

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
J310G

J310G

부품 재고: 6051

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,

위시리스트에게
MMBF4416LT1G

MMBF4416LT1G

부품 재고: 6078

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,

위시리스트에게
MMBFJ310LT1

MMBFJ310LT1

부품 재고: 5524

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,

위시리스트에게
PTFA092211FLV4XWSA1

PTFA092211FLV4XWSA1

부품 재고: 6298

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,

위시리스트에게
PTFA212401E V4 R250

PTFA212401E V4 R250

부품 재고: 4640

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,

위시리스트에게
SD57060-01

SD57060-01

부품 재고: 1004

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 7A,

위시리스트에게
PD20015S-E

PD20015S-E

부품 재고: 6208

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,

위시리스트에게
PXAC261212FC-V1

PXAC261212FC-V1

부품 재고: 6212

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
VMMK-1225-TR2G

VMMK-1225-TR2G

부품 재고: 6265

트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 12GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 50mA, 노이즈 피겨: 1dB,

위시리스트에게
MAGX-000035-09000P

MAGX-000035-09000P

부품 재고: 6208

트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3.5GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6mA,

위시리스트에게
MAGX-000035-01000P

MAGX-000035-01000P

부품 재고: 4686

트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3.5GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 500mA,

위시리스트에게
CE3512K2-C1

CE3512K2-C1

부품 재고: 178804

트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 13.7dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,

위시리스트에게
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

부품 재고: 6074

트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,

위시리스트에게
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

부품 재고: 6232

트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,

위시리스트에게