트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.6GHz, 이득: 13.8dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 760MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 3.5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 960MHz ~ 1.215GHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 33A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 16.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 20.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.1dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V,
