트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MRF5S21130HSR5

MRF5S21130HSR5

부품 재고: 6290

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S21210HSR3

MRF7S21210HSR3

부품 재고: 6351

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF5S9070MR1

MRF5S9070MR1

부품 재고: 4708

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,

위시리스트에게
MRF5S9100NR1

MRF5S9100NR1

부품 재고: 6082

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 26V,

위시리스트에게
MRF7S19170HR5

MRF7S19170HR5

부품 재고: 6340

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S24140HSR5

MRF6S24140HSR5

부품 재고: 6338

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRFE6S9201HR3

MRFE6S9201HR3

부품 재고: 6303

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S9060NBR1

MRF6S9060NBR1

부품 재고: 6282

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6V2010NBR5

MRF6V2010NBR5

부품 재고: 6113

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,

위시리스트에게
MRF19030LSR5

MRF19030LSR5

부품 재고: 4657

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,

위시리스트에게
MRF21030LR5

MRF21030LR5

부품 재고: 6358

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF8P20165WHSR5

MRF8P20165WHSR5

부품 재고: 6217

트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S23100HSR5

MRF6S23100HSR5

부품 재고: 6334

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.4dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRFE6S9160HSR3

MRFE6S9160HSR3

부품 재고: 1133

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF377HR3

MRF377HR3

부품 재고: 6284

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 17A,

위시리스트에게
MRF6S19060GNR1

MRF6S19060GNR1

부품 재고: 6299

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S18140HSR5

MRF6S18140HSR5

부품 재고: 6358

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF6S21060NBR1

MRF6S21060NBR1

부품 재고: 6325

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S21080HR3

MRF7S21080HR3

부품 재고: 6313

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
MRF7S27130HSR5

MRF7S27130HSR5

부품 재고: 6345

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
ON5230,127

ON5230,127

부품 재고: 6099

위시리스트에게
MMBF4416

MMBF4416

부품 재고: 119200

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 2dB,

위시리스트에게
MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

부품 재고: 131116

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,

위시리스트에게
MMBFJ212

MMBFJ212

부품 재고: 6113

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 40mA,

위시리스트에게
J310RLRP

J310RLRP

부품 재고: 6058

트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,

위시리스트에게
PTFA070601EV4XWSA1

PTFA070601EV4XWSA1

부품 재고: 6065

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 760MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
PTFB211803FLV2R0XTMA1

PTFB211803FLV2R0XTMA1

부품 재고: 849

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 30V,

위시리스트에게
PTFA181001FV4XWSA1

PTFA181001FV4XWSA1

부품 재고: 1641

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,

위시리스트에게
PTFA192001EV4XWSA1

PTFA192001EV4XWSA1

부품 재고: 6126

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,

위시리스트에게
PTFA082201FV4XWSA1

PTFA082201FV4XWSA1

부품 재고: 6146

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,

위시리스트에게
PXAC261202FCV1XWSA1

PXAC261202FCV1XWSA1

부품 재고: 6261

트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.61GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,

위시리스트에게
CRF24060FE

CRF24060FE

부품 재고: 6155

트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET, 회수: 1.1GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 9A,

위시리스트에게
PD55008L-E

PD55008L-E

부품 재고: 8529

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 5A,

위시리스트에게
NE5550279A-T1-A

NE5550279A-T1-A

부품 재고: 6234

트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 600mA,

위시리스트에게
VMMK-1225-TR1G

VMMK-1225-TR1G

부품 재고: 6235

트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 12GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 50mA, 노이즈 피겨: 1dB,

위시리스트에게