트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 225MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 1.9GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 3.5V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 10GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.81dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 100µA,
