트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.6GHz ~ 1.66GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz ~ 860MHz, 이득: 20dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 14A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 400MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 20GHz, 이득: 10.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.85dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 2.1A,
트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate, 회수: 900MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 3.5GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 3A,
