트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.1GHz ~ 3.5GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 130MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 40mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 760MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.48GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 50µA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 4GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 97mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 960MHz ~ 1.22GHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 27.3A,
