트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 2.61GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 765MHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.62GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.6GHz ~ 1.66GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 857MHz ~ 863MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.65dB,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.65dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 30mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 470MHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 6V, 현재 등급: 2A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 4A,
