트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.6GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.51GHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 857MHz ~ 863MHz, 이득: 20.4dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.5GHz ~ 2.7GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz ~ 1.4GHz, 이득: 15.8dB, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4.2A,
