트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.65dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET, 회수: 1.95GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 1.8A, 노이즈 피겨: 3.1dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 20mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 400MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 10mA, 노이즈 피겨: 4dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 400MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 4dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 250mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
