트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.1GHz ~ 3.5GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 465MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12.5V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 900MHz, 이득: 23.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 600mA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 18.4dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4.8A,
