트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 30mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 400MHz, 노이즈 피겨: 4dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 130MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.17GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.17GHz, 이득: 14.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 700MHz ~ 1.3GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 30MHz ~ 3.5GHz, 이득: 13.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 2.5mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3.3GHz ~ 3.8GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 19.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 32V, 현재 등급: 14A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 150MHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 1mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 765MHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 1.9GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 3.5V, 현재 등급: 2.8A,
