트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 27MHz, 이득: 21.5dB, 전압-테스트: 150V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 80MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 28dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 80MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 1mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 42A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 32.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.1dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 25.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 130MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 2A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.805GHz ~ 2.17GHz, 이득: 6.5dB, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 390MHz ~ 450MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, 회수: 225MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 16A,
