트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

BSS138DWQ-7

부품 재고: 137105

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

BSS138DWQ-13

부품 재고: 113029

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

BSS138DW-7-F

부품 재고: 105835

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

BSS84V-7

부품 재고: 195633

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BSM120D12P2C005

부품 재고: 258

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 22mA,

BSM180D12P2C101

부품 재고: 243

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 204A (Tc), Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35.2mA,

BUK7K18-40EX

부품 재고: 171094

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,

BUK9K89-100E,115

부품 재고: 171088

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,

BSS138BKS,115

부품 재고: 129700

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

BUK9K8R7-40EX

부품 재고: 140529

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,

BUK9K45-100E,115

부품 재고: 140499

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,

BUK9K29-100E,115

부품 재고: 120044

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,

BUK9K134-100EX

부품 재고: 189637

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 159 mOhm @ 5A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,

BSS84AKS/ZLX

부품 재고: 3372

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

BUK9MTT-65PBB,518

부품 재고: 3325

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90.4 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MRR-65PKK,518

부품 재고: 3041

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60.7 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MNN-65PKK,518

부품 재고: 3039

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.8 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MJJ-65PLL,518

부품 재고: 3037

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MGP-55PTS,518

부품 재고: 2984

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Tc), 9.16A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MHH-65PNN,518

부품 재고: 3036

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MFF-65PSS,518

부품 재고: 2995

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.6A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

BUK9MJT-55PRF,518

부품 재고: 2797

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 10A, 10V,

BSL308CH6327XTSA1

부품 재고: 146163

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA,

BSC0911NDATMA1

부품 재고: 94888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

BSO615NGHUMA1

부품 재고: 20316

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA,

BSO330N02KGFUMA1

부품 재고: 3005

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 20µA,

BTS7904SAKSA1

부품 재고: 2985

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA,

BSO4804HUMA2

부품 재고: 2904

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA,

BSL806NL6327HTSA1

부품 재고: 2870

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA,

BSL207NL6327HTSA1

부품 재고: 2845

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA,

BSL308PEL6327HTSA1

부품 재고: 3339

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 11µA,

BSL308CL6327HTSA1

부품 재고: 2842

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA,

BSL314PEL6327HTSA1

부품 재고: 3308

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA,

BSD840N L6327

부품 재고: 2834

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 1.6µA,

BSL306NL6327HTSA1

부품 재고: 3344

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA,

BUK7K6R2-40E/CX

부품 재고: 3020