FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, 530mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 390mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 13µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 25µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 10µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 40µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 60µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 25µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 41A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 33A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, 130mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
