트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

AON3613

부품 재고: 2846

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON7902

부품 재고: 2909

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON7820

부품 재고: 2905

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6922

부품 재고: 2854

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 250µA,

AON6918

부품 재고: 2899

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 26.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

부품 재고: 2864

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6908A

부품 재고: 160676

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A, 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON5810

부품 재고: 135258

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AON5802B

부품 재고: 192395

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON4807

부품 재고: 2870

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON4605

부품 재고: 121859

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2880

부품 재고: 2900

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2800

부품 재고: 2829

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

AOD607

부품 재고: 2889

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO8818

부품 재고: 2886

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AOC2802

부품 재고: 2855

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate,

AO8804

부품 재고: 2865

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6801A

부품 재고: 2890

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AO4830

부품 재고: 2895

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,

AO4821

부품 재고: 189745

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA,

AO4613

부품 재고: 2910

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4924

부품 재고: 2854

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7932

부품 재고: 2904

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 8.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7900

부품 재고: 2883

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AO8807

부품 재고: 115236

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA,

AUIRF9952Q

부품 재고: 2919

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7379Q

부품 재고: 2916

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7342Q

부품 재고: 3348

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7341Q

부품 재고: 2859

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7319Q

부품 재고: 2903

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7313Q

부품 재고: 2913

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7316Q

부품 재고: 5424

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7304Q

부품 재고: 2891

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7309Q

부품 재고: 2875

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7303Q

부품 재고: 2880

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 100µA,

APTJC120AM13VCT1AG

부품 재고: 2840