FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 31A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA,
FET 유형: 2 N-Channel, FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 25A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 110µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
