트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

APTML202UM18R010T3AG

부품 재고: 2939

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 109A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

부품 재고: 3301

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

부품 재고: 3350

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

부품 재고: 2866

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

부품 재고: 2896

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

부품 재고: 293

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

부품 재고: 1142

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

부품 재고: 2917

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

부품 재고: 2886

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

부품 재고: 2885

FET 유형: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

부품 재고: 2935

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

부품 재고: 2862

FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

부품 재고: 2932

FET 유형: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

부품 재고: 1136

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

부품 재고: 424

FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

부품 재고: 666

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

부품 재고: 2898

FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

부품 재고: 5403

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

부품 재고: 2849

FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

부품 재고: 38839

ALD111910PAL

부품 재고: 38839

AOC2800

부품 재고: 2871

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate,

AON6974A

부품 재고: 2934

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

부품 재고: 2849

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A, 42A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

부품 재고: 2893

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

부품 재고: 2941

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

부품 재고: 2858

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

부품 재고: 2861

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

부품 재고: 2874

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

부품 재고: 2920

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

부품 재고: 2939

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

부품 재고: 192153

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

부품 재고: 2877

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

부품 재고: 2917

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

부품 재고: 2882

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, 33A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

부품 재고: 2875

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,