FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 149A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 208A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 333A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
