트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

AOP607

부품 재고: 3275

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP609

부품 재고: 2816

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP605

부품 재고: 2811

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4838

부품 재고: 114715

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4882

부품 재고: 110285

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4852

부품 재고: 115960

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4886

부품 재고: 2683

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AON7611

부품 재고: 168239

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 18.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4803A

부품 재고: 134931

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4614B

부품 재고: 146451

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4813

부품 재고: 174721

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4800B

부품 재고: 189998

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4805

부품 재고: 180636

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4630

부품 재고: 137477

FET 유형: N and P-Channel Complementary, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA,

AO4612

부품 재고: 189775

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4840

부품 재고: 161636

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6924

부품 재고: 90862

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AOD609

부품 재고: 192201

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC2804

부품 재고: 105804

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard,

AON7804

부품 재고: 120975

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AAT7347IAS-T1

부품 재고: 157898

AUIRFN8459TR

부품 재고: 64112

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 50µA,

AUIRFN8458TR

부품 재고: 79588

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 25µA,

AUIRF7341QTR

부품 재고: 89718

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7319QTR

부품 재고: 89679

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7316QTR

부품 재고: 89739

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7342QTR

부품 재고: 91383

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7313QTR

부품 재고: 94924

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7304QTR

부품 재고: 101244

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7379QTR

부품 재고: 101249

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7103QTR

부품 재고: 121994

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF9952QTR

부품 재고: 125213

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

BSM180D12P3C007

부품 재고: 168

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc), Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

부품 재고: 201

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc), Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

부품 재고: 263

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13.2mA,

BSS8402DWQ-7

부품 재고: 194681

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA, 130mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,