트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TC6320TG-G

부품 재고: 68318

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

TC7920K6-G

부품 재고: 49864

FET 유형: 2 N and 2 P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA,

TD9944TG-G

부품 재고: 65575

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

DMN62D0UDW-13

부품 재고: 155691

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN21D1UDA-7B

부품 재고: 144

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMP6A16DN8QTA

부품 재고: 85500

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMC3025LNS-13

부품 재고: 159648

FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

DMN2990UDJQ-7

부품 재고: 178697

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN601VKQ-7

부품 재고: 118878

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMN2008LFU-7

부품 재고: 177281

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250A,

ZXMC3A16DN8TA

부품 재고: 87629

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMGD7N45SSD-13

부품 재고: 105022

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,

DMC4047LSD-13

부품 재고: 107463

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMNH6022SSD-13

부품 재고: 191300

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-7

부품 재고: 191757

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,

DMN2022UNS-13

부품 재고: 159447

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

SC8673040L

부품 재고: 67245

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 5.85mA,

SC8673010L

부품 재고: 63520

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 4.38mA,

NVMFD5485NLWFT1G

부품 재고: 81328

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EFC6604R-TR

부품 재고: 146764

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTMFD5C446NLT1G

부품 재고: 65

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA,

NTZD3155CT1G

부품 재고: 120582

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMD8900

부품 재고: 75697

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EFC6605R-V-TR

부품 재고: 166880

VEC2415-TL-W-Z

부품 재고: 88

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMC6890NZ

부품 재고: 169827

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

SI4542DY

부품 재고: 41210

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD3154NT5G

부품 재고: 195594

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

NTGD3148NT1G

부품 재고: 137924

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8935

부품 재고: 118941

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 183 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5877NLT3G

부품 재고: 193353

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMD84100

부품 재고: 50072

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,

SI1033X-T1-GE3

부품 재고: 174190

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SIA777EDJ-T1-GE3

부품 재고: 187147

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

EM6K31T2R

부품 재고: 181152

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,

EM6K31GT2R

부품 재고: 153168

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,