커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.8pF @ 1.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 250 @ 0.5V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 37pF @ 1.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 250 @ 0.5V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32.5pF @ 1.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 250 @ 0.5V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 11pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 110pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 24.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6.5, 전압-피크 역방향 (최대): 33V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.4, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 14V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.9pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.04, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.37pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.35, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.9pF @ 3V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.25pF @ 18V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.7pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.8, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1680 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4, 커패시턴스 비율 조건: C0.1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.1, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.05pF @ 15V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
