커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 74.8pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.62pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.02, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.37pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.35, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 7pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 34V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.43pF @ 20V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.83pF @ 26V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 19.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C26, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.78pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.1, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C1/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 24V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.42pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 2400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12.5pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
