커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 13.2pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.61pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 74.8pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.83pF @ 26V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 19.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C26, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.3pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 21.2pF @ 1V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C9, 전압-피크 역방향 (최대): 26V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.5pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.9pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.04, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.05pF @ 15V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.6pF @ 4V, 10MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 50 @ 2V, 10MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.78pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.1, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
