커패시턴스 @ Vr, F: 14.8pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.3pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.61pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.61pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.8pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.9pF @ 3V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.23pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.55, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.62pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.02, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.58pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 37pF @ 1.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 0.5V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
