커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 14.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.9pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 12.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 9.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.92pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 11, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.754pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.225pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 22, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 11.2pF @ 2.3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.2/C2.3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.13pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 13V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.22pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.18pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.25pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.055pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 16, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
