커패시턴스 @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.34pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.34, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.14pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.4pF @ 3V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.28pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.03, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.58pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.23pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.55, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.1pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 21.2pF @ 1V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C9, 전압-피크 역방향 (최대): 26V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 6V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.3pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 비율: 12.2, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 74.8pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 11pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 6pF @ 25V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
