커패시턴스 @ Vr, F: 15.75pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 280 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 11pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 80 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.5pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.11pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 2900 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.81pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.6pF @ 20V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.45, 커패시턴스 비율 조건: C3/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.34pF @ 20V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.3, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.94pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.4, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.8pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.7pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.03pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 34V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.87, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
