커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 8.61pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 51.7pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 71.4pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 34.65pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 105pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 49.35pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6.5, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.87, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.41pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.21, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.4pF @ 3V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 26V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 14.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C26, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 22, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.08pF @ 20V, 1MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.55pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.2, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 6pF @ 25V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 25V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.5pF @ 20V, 50MHz, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 160 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 25, 커패시턴스 비율 조건: C1/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
