트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 765MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 1.88GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 465MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 450MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 20.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 20mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 100µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 960MHz ~ 1.215GHz, 이득: 18.9dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4A,
