트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 765MHz, 이득: 18.7dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz, 이득: 15.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.8dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.03GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.6GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.1GHz ~ 3.5GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 20mA,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 450MHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET, 회수: 12GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 0.65dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 88mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
