트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 450MHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA, 노이즈 피겨: 3dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.5GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.68GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.48GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz ~ 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 15.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 27.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.39GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.6GHz ~ 1.66GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.81GHz ~ 1.88GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 225MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 23.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 400MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
