트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10.8dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.5GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.16GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.69GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 450MHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA, 노이즈 피겨: 3dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 100MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 30mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 900MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 765MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 14A,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.35dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 12GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 88mA, 노이즈 피겨: 0.3dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.75dB,
