트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.5GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.62GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.12GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.16GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.93GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 26V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.66GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 15.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 18.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.5GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 12V,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.75dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 20GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 70mA, 노이즈 피겨: 0.7dB,
트랜지스터 유형: MESFET Dual Gate, 회수: 900MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 2GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.45dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 915MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 3.2V, 현재 등급: 1.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 400MHz, 노이즈 피겨: 4dB,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 15mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 16.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 4A,
