트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 2A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 40.68MHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 150V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 123MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 100V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 13.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23.7dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.14GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 25.4dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.39GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 30MHz ~ 3.5GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 2.2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz ~ 175MHz, 이득: 13dB ~ 22dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 16A,
트랜지스터 유형: MESFET, 회수: 100MHz ~ 12GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 5V, 현재 등급: 240mA, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.9GHz ~ 3.5GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.11GHz ~ 2.17GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 12.2dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 68mA, 노이즈 피겨: 0.62dB,
