트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 20.3dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 470MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 65V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 450MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 940MHz, 이득: 35.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 225MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 50A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.2GHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.805GHz ~ 2.17GHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 48V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.9GHz ~ 3.5GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 45V, 현재 등급: 24A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz ~ 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HFET, 회수: 6GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 8V, 현재 등급: 450mA, 노이즈 피겨: 4.5dB,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5.4A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 18A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 123MHz, 이득: 24.6dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 2.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 15dB ~ 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 7A,
