트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 7.9GHz ~ 9.6GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 13A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 3.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.84GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 36A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 5GHz, 이득: 11.8dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 17A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.3GHz, 이득: 14.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.1dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 16.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 25.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 100MHz ~ 500MHz, 이득: 8dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 16A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 70MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 20GHz, 이득: 13.8dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.8dB,
