트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 925MHz ~ 960MHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 420MHz ~ 500MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.88GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 12.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6.3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 869MHz ~ 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6.3A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.99GHz, 이득: 19dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.03GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.96GHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.09GHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.4GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.4dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 18.6dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.03GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.9GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz ~ 3.5GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 2GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 150MHz ~ 400MHz, 이득: 7.7dB ~ 16dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 945MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 8A,
트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual), 회수: 123MHz, 이득: 26.8dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 7.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 150MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 2mA,
