트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 42mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.02GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz ~ 1.4GHz, 이득: 21.64dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 1µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 1GHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 12.1A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.1dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 8GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 3.55GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 6V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 512MHz, 이득: 26dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.62GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 512MHz, 이득: 25.4dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.3GHz, 이득: 22.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.8GHz ~ 2.2GHz,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 748MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 960MHz, 이득: 19.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 회수: 400MHz, 전압-테스트: 15V, 현재 등급: 5mA, 노이즈 피겨: 4dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz ~ 200MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 4.5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz ~ 175MHz, 이득: 15dB ~ 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 24dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz ~ 3.5GHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 19A,
트랜지스터 유형: P-Channel, 회수: 1kHz, 노이즈 피겨: 2dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 5A,
