트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 이득: 12dB, 전압-테스트: 10V, 현재 등급: 60mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 4GHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10.5A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.805GHz ~ 1.88GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 20.4dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 7.9GHz ~ 9.6GHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 6GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 460MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 350mA,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 12.2dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.62dB,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 860MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.45GHz, 이득: 13.1dB, 전압-테스트: 32V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 32.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 26.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 728MHz ~ 960MHz,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.88GHz ~ 1.91GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 860MHz, 이득: 22.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 600MHz, 이득: 25dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.92GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.3GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 22.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 14dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 23.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 960MHz ~ 1.215GHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 15.7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 80MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 60A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 11.8dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz ~ 3.5GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 현재 등급: 19A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 65MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 8A,
