트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 13dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 470MHz, 이득: 21dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 40V, 현재 등급: 2A,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source, 회수: 755MHz ~ 805MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 30V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 20.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 895MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 230MHz, 이득: 25dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.3GHz, 이득: 14.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.3GHz, 이득: 19.2dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 894MHz, 이득: 19.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 520MHz, 이득: 13.5dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 6A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 900MHz, 이득: 18.3dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 20.5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 0Hz ~ 3GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 800mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 400MHz, 이득: 10dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 13A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 1.2GHz ~ 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 5.5A,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 13.7dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 15mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 13.9dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 9A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 5A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 40A,
트랜지스터 유형: N-Channel JFET, 현재 등급: 20mA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 20A,
