트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 859MHz ~ 960MHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 48V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 5.5GHz ~ 5.8GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 1.5A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 2.02GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 18.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz ~ 1.215GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 960MHz, 이득: 19.5dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.17GHz, 이득: 21.7dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.4GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 3.4GHz ~ 3.6GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20.2dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.14GHz, 이득: 17.9dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 895MHz, 이득: 21.1dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.03GHz, 이득: 19.7dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 920MHz, 이득: 19.3dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.8MHz ~ 1.215GHz, 이득: 25.6dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 7µA,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.98GHz ~ 2.01GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 220MHz, 이득: 23.9dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 880MHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.69GHz, 이득: 15.6dB, 전압-테스트: 28V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2.4GHz ~ 2.5GHz, 이득: 15.9dB,
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), 회수: 1.99GHz, 이득: 18.2dB, 전압-테스트: 30V,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 1.8MHz ~ 500MHz, 이득: 23dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 10µA,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 30MHz, 이득: 22dB, 전압-테스트: 100V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 80MHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 4mA,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 2.7GHz ~ 3.1GHz, 이득: 11.2dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 500mA,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 870MHz, 이득: 17.3dB, 전압-테스트: 13.6V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 175MHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 50V, 현재 등급: 20A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 500MHz, 이득: 16.9dB, 전압-테스트: 12.5V, 현재 등급: 7A,
트랜지스터 유형: LDMOS, 회수: 2GHz, 이득: 13.3dB, 전압-테스트: 28V, 현재 등급: 12A,
트랜지스터 유형: HEMT, 회수: 3GHz, 이득: 11.5dB, 전압-테스트: 50V,
트랜지스터 유형: N-Channel, 회수: 520MHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 3.6V, 현재 등급: 3A,
