FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
FET 유형: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 139A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 317A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 147A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 495A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 10mA,
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg), FET 기능: Silicon Carbide (SiC), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV), 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
